質量作用の法則 (半導体)

この項目では、半導体工学における質量作用の法則について説明しています。その他の使い方については「質量作用の法則」をご覧ください。

熱平衡の場合、自由電子濃度${\displaystyle n}$と自由正孔濃度${\displaystyle p}$の積は真性キャリア濃度${\displaystyle n_{i}}$の二乗に等しい。 真性キャリア濃度は、温度の関数である。

半導体における質量作法の法則の式は、

${\displaystyle np=n_{i}^{2}}$

で表される^[1]。

半導体において自由電子と正孔は、電気伝導を与えるキャリアである。 キャリアの数がバンド状態の数より遥かに小さい場合、キャリア濃度はボルツマン分布で近似でき、以下の結果を与える。

自由電子濃度nは次のように近似できる。

${\displaystyle n=N_{c}{\text{ exp}}\left[-{\frac {(E_{c}-E_{F})}{kT}}\right]}$

ここで

• E_cは伝導帯のエネルギー
• E_Fはフェルミ準位
• kはボルツマン定数
• Tはケルビン単位の温度
• N_cは伝導帯端での有効状態密度で、${\displaystyle \textstyle N_{c}=2\left({\frac {2\pi m_{e}^{*}kT}{h^{2}}}\right)^{3/2}}$と与えられる。ここでm*_eは電子の有効質量、hはプランク定数である。

自由正孔濃度pも同様な式で与えられる。

${\displaystyle p=N_{v}{\text{ exp}}\left[-{\frac {(E_{F}-E_{v})}{kT}}\right]}$

ここで

• E_Fはフェルミ準位
• E_vは価電子帯のエネルギー
• kはボルツマン定数
• Tはケルビン単位の温度
• N_vは価電子帯端での有効状態密度で、${\displaystyle \textstyle N_{v}=2\left({\frac {2\pi m_{h}^{*}kT}{h^{2}}}\right)^{3/2}}$と与えられる。m*_hは正孔の有効質量、hはプランク定数である。

上述のキャリア濃度の式を用いると、質量作用の法則は次のように書ける。

${\displaystyle np=N_{c}N_{v}{\text{ exp}}\left(-{\frac {E_{g}}{kT}}\right)=n_{i}^{2}}$

ここでE_gはバンドギャップエネルギーE_g = E_c − E_vである。

• 質量作用の法則

1. ^ S, Salivahanan; N. Suresh Kumar (2011). Electronic Devices & Circuits. India: Tata McGraw Hill Education Pvt Ltd. pp. 1.14. ISBN 0-07-070267-5 

• Doping, Carrier Concentration, Mobility, and Conductivity
• Semi-conductor tutorial

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