ウエハーレベルCSP ウエハーレベルCSP (英: wafer level chip size package) とは、半導体部品のパッケージ形式のひとつであり、ボンディング・ワイヤーによる内部配線を行なわず、半導体の一部が露出したままの、ほぼ最小となる半導体パッケージであり、広義のフリップチップである。プリント基板上に単体の高集積度半導体を表面実装する時に小さな占有面積で済ませられる。最近では、FOWLPと区別するためにFIWLP（英: fan in wafer level package）とも呼ばれる[1]。 「CSP」（英: chip size package）と云う名前の通り、半導体のダイとも呼ばれるベアチップ大のパッケージであり、「ウエハーレベル」とは、外部端子や封止樹脂といった通常はベアチップへ行なう加工処理をウエハーからチップを切り出す前のウエハーの段階で済ませる事を意味している[2][3]。 加工順序構造.PNG) 1.ベアチップ 2.端子パッド 3.パッシベーション層 4.封止樹脂 5.はんだボールなど 6.銅バンプ 7.プリント基板 ウエハーレベルCSPの構造は、基本となる再配線型と応力緩和型の2種類がある。
ベアチップの電気的な接続部となる外部端子は、はんだバンプの他にも、金バンプがあり、プリント基板側も銅配線で受けるものから、はんだ、銀ペースト、ACF（英: anisotropic conductive film、異方性導電膜）を使うものがある[2][3] 配線の実効インダクタンス比較ウエハーレベルCSPには、実装面積が縮小できる他にも、配線の実効インダクタンスも削減できる利点がある。以下にQFPとBGA、ウエハーレベルCSPとの比較を示す。
ダイの端子パッドと実装側基板のパターン直前までのあいだをワイヤとワイヤ以外で計測した[4]。 脚注出典
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