1 µm 공정 반도체 소자 제조 MOSFET 스케일링 (공정 노드) 010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022 미래 002 nm – 2025 001 nm – 2027 하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자 v • d • e • h 1 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 1 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1985년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 달성하였다. 1.0 마이크로미터 제조 공정을 적용한 제품 1985년 출시된 인텔 80386 CPU는 이 공정으로 만들어졌다. 이 글은 기술에 관한 토막글입니다. 여러분의 지식으로 알차게 문서를 완성해 갑시다.

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Prefix: a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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