28 nm 공정

반도체 소자 제조
MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2025 001 nm – 2027
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h

"28 nm" 리소그래피 공정은 "32 nm" 리소그래피 공정의 다이 슈링크를 기반으로 하는 하프 노드 반도체 제조 공정이다.^[1] 2010년에 생산에 도입되었다.^[2]

적어도 1997년 이후 "공정 노드"는 순전히 마케팅 목적으로 명명되었으며, 집적 회로의 크기와 직접적인 관련이 없다.^[3] "28nm" 소자의 게이트 길이, 금속 피치 또는 게이트 피치 중 어느 것도 28 나노미터가 아니다.^[4][5][6][7]

타이완 반도체 제조 회사는 하이-K 금속 게이트 공정 기술을 사용하여 "28 nm" 생산을 제공했다.^[8]

글로벌파운드리스는 하이-K 금속 게이트 기술을 사용하는 "28SLPe"("28nm 슈퍼 저전력") 파운드리 공정이라고 불리는 "28nm" 파운드리 공정을 제공한다.^[9]

소피 윌슨의 2016년 발표에 따르면, 28nm는 로직 게이트당 가장 낮은 비용을 가지고 있다. 공정이 축소됨에 따라 게이트당 비용은 28nm에 도달할 때까지 감소했으며, 그 이후로는 서서히 증가했다.^[10]

"28nm"는 제조 신뢰성을 보장하기 위해 "80nm"보다 두 배 많은 설계 규칙을 필요로 한다.^[11]

AMD의 라데온 HD 7970은 "28nm" 공정을 사용하여 제조된 그래픽 처리 장치를 사용한다.^[12]

일부 PS3 모델은 "28nm" 공정을 사용하여 제조된 RSX '리얼리티 신시사이저' 칩을 사용한다.^[13]

"28nm" 공정 기술로 생산된 FPGA에는 자일링스 아틱스 7 FPGA 및 알테라 사이클론 V FPGA 모델이 포함된다.^[14]