БСИТ

БСИТ (Биполярный транзистор со статической индукцией; англ. BSIT, Bipolar Static Induction Transistor) — мощный высокочастотный полупроводниковый прибор с вертикальной многоканальной структурой. БСИТ не является русскоязычным синонимом IGBT (БТИЗ), тем не менее, близок к ним по свойствам. Выпускаемые образцы БСИТ уступают лучшим современным образцам БТИЗ по энергетическим характеристикам. Изобретён во второй половине 1970-х годов.

Обладает преимуществами, по сравнению с биполярными транзисторами: более высокими граничной частотой и коэффициентом усиления. Применяется в быстродействующих ключевых схемах и импульсных источниках питания. Среднее время переключения составляет 250—150 нс. Максимальное допустимое напряжение сток-исток для некоторых моделей достигает 900 В.