Закон Вегарда

Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов^[1][2].

Таким образом, параметры кристаллической решётки (${\displaystyle {\mathit {a}}}$) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов Si_xGe_1-x и InP_xAs_1-x:

${\displaystyle {\mathit {a}}_{\text{SiGe}}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{\text{Si}}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{\text{Ge}}}$

${\displaystyle {\mathit {a}}_{\text{InPAs}}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{\text{InP}}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{\text{InAs}}}$.

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InP_xAs_1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника ${\displaystyle {\mathit {E_{g}}}}$ от соотношения её составляющих и параметра ${\displaystyle {\mathit {b}}}$ где ${\displaystyle {\mathit {b}}}$-параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:

${\displaystyle {\mathit {E}}_{g,{\text{InPAs}}}={\mathit {x}}{\mathit {E}}_{g,{\text{InP}}}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {E}}_{g,{\text{InAs}}}-{\mathit {bx}}(1-{\mathit {x}})}$

• Изоморфизм