Кардо-Сысоев, Алексей Фёдорович

Алексей Фёдорович Кардо-Сысоев
Алексей Фёдорович Кардо-Сысоев
Дата рождения	7 июня 1941 (83 года)
Место рождения	Ленинград
Страна	СССР→ Россия
Научная сфера	импульсная техника
Место работы	ФТИ им. Иоффе РАН
Альма-матер	ЛЭТИ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Награды и премии

Алексе́й Фёдорович Кардо́-Сысо́ев (род. 7 июня 1941 года, гор. Ленинград) — советский и российский физик, специалист в области физики мощных быстродействующих полупроводниковых приборов и импульсной электроники, доктор наук. Лауреат Госпремии СССР (1987). Главный научный сотрудник-консультант ФТИ РАН в Санкт-Петербурге.

Ранние годы, образование

Принадлежит к роду Кардо-Сысоевых. Мать, Елена Константиновна Кардо-Сысоева, — биолог, доктор биологических наук. Дед, Константин Николаевич Кардо-Сысоев, — хирург-офтальмолог, доктор медицины, умер в Ленинграде в 1942 году^[1]. В 1942 году после смерти деда Алексей вместе с семьёй был эвакуирован из блокадного Ленинграда.

В 1958 году окончил среднюю школу № 1 гор. Салехарда^[2]. В 1964 году окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова (Ленина).

Профессиональная карьера

По завершении обучения в вузе три года работал инженером в Ленинградском институте телевидения^[3].

С 1967 года — сотрудник Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе. Доктор физико-математических наук (1988). Работа А. Ф. Кардо-Сысоева в ФТИ в основном связана с лабораторией мощных полупроводниковых приборов. В настоящее время занимает должность главного научного сотрудника-консультанта в этой лаборатории.

Научная деятельность и достижения

Проводит исследования в области сверхбыстрых процессов накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в мощных высоковольтных полупроводниковых приборах, импульсной полупроводниковой схемотехнике^[3]. Один из создателей нового научно-технического направления — мощной импульсной полупроводниковой электроники нано- и субнано- секундного диапазона.

Экспериментально обнаружил эффект задержанного ударно-ионизационного пробоя высоковольтных p-n переходов (совместно с И. В. Греховым). На основе этого эффекта были созданы такие импульсные ударно-ионизационные переключатели субнаносекундного диапазона, как кремниевые диодные обострители импульсов и динисторы с быстрой ионизацией. В англоязычной литературе эти приборы стали известны под названиями Silicon Avalanche Sharpening diode (SAS), Fast Ionization Dynistor (FID). Появление SAS-диода увеличило мощность, коммутируемую полупроводниковыми приборами в субнаносекудном диапазоне, сразу на 4 порядка. Разработал дрейфовый диод с резким восстановлением — мощный импульсный переключатель наносекундного диапазона.

Разработки SAS-диода и ДДРВ сформировали элементную базу мощной импульсной полупроводниковой электроники субнаносекундного диапазона. Это позволило создать компактные высокоэффективные генераторы высоковольтных импульсов, к настоящему времени коммерциализированные^[4].

Автор свыше 100 научных публикаций^[5]. Избранные работы:

Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F. Subnanosecond current drops in delayed breakdown of silicon p-n junctions // Sov. Tech. Phys. Lett. — 1979 — vol. 5 — no. 8 — p. 395.
Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F., Kostina L. S., Shenderey S. V. High-power Subnanosecond Switch // Electronics Letters — 1981 — vol. 17 — no. 12 — p. 422 — DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:19810293.
Grekhov I. V., Efanov V. M., Kardo-Sysoev A. F., Shenderey S. V. Power Drift Step Recovery Diodes (DSRD) // Solid-State Electronics — 1985 — vol. 28 — no. 6 — pp. 597–599 — DOI: 10.1016/0038-1101(85)90130-3.
Kardo-Sysoev A. F. New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses // in Ultra-Wideband Radar Technology, ed. J. D. Taylor — CRC Press — 2000 — ISBN 849342678 — pp. 205–290.