Научно-исследовательский институт электронной техники
Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») — советский и российский институт, созданный 9 мая 1961 года как «Центральное конструкторское бюро» согласно Приказу по организации п/я 111 №204 и в соответствии с Постановлением Воронежского Совета Народного хозяйства. Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники специального и гражданского назначения: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона. C 2014 года АО «НИИЭТ» входит в структуру Объединённой приборостроительной госкорпорации Ростех.[1] ИсторияВ 1961 году при «Воронежском заводе полупроводниковых приборов» («ВЗПП») было учреждено Центральное конструкторское бюро.
В 1962 г. перед «ЦКБ при ВЗПП» была поставлена цель по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению наиболее массовых диодов Д226. Запуск комплексно-механизированной линии в производство обеспечил выпуск до 10 миллионов диодов Д226 в год. В период 1963–1964 гг. с участием специалистов «ЦКБ на ВЗПП» было освоено серийное производство германиевых мощных транзисторов П213–П217, П602–П603, кремниевых транзисторов средней мощности П307–П309 и мощных транзисторов П702, 2Т903. В 1965 году на предприятии были разработаны первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики.[3]
В 1968 г. разработчиками «ЦКБ при ВЗПП» (В.Д. Скороходовым, А.И. Стояновым, С.А. Ереминым) были созданы и внедрены в производство первые ИС ОЗУ емкостью 16 бит по МОП-технологии. Впоследствии на базе МОП-технологии было реализовано целое поколение р-канальных, n-канальных и КМОП интегральных и больших интегральных схем (БИС). В декабре 1969 года «ЦКБ при ВЗПП» вошло в состав НПО «Электроника». В период 1967–1973 гг. было выполнено около 20 НИР и ОКР по созданию и внедрению в производство быстродействующих и маломощных ИС малой и средней степени интеграции серий 106, 134, 128, 149, 177, – схем транзисторно-транзисторной логики, динамических логических схем, линейных схем и т.д. В 70-е годы на предприятии были выполнены разработки цифровых ИС серий 531, 530, в 80-е — биполярных БИС серии 1804 на основе инжекционной логики. В 1983 году ЦКБ стало самостоятельным предприятием: его переименовали в «Научно-исследовательский институт электронной техники»[3].  В 1986 г. «НИИЭТ» приказом по Министерству электронной промышленности был определен головным предприятием отрасли по созданию цифровых процессоров обработки сигналов (DSP) для специальной техники. В 1987 году в «НИИЭТ» была введена первая в стране линейка по производству кристаллов интегральных схем с топологическими нормами 2,0 мкм в чистых помещениях класса 10 площадью 1200 кв.м. (так называемый «финский» модуль). В 1994 году «НИИЭТ» был переименован в Государственное предприятие «НИИЭТ» (ГП «НИИЭТ»). В 2002 году — в Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИЭТ» (ФГУП «НИИЭТ»). Начиная с 2003 года «НИИЭТ» приступил к разработке, а с 2005 года организовал производство современных мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов по DMOS и LDMOS технологиям. При этом был достигнут максимальный уровень выходной мощности в непрерывном режиме в КВ-диапазоне — 600 Вт (транзистор 2П986АС); в МВ-диапазоне — 300 Вт (транзистор 2П979В); в ДМВ-диапазоне — 150 Вт (транзистор 2П980БС). В октябре 2012 года институт был преобразован в ОАО «НИИЭТ». В конце 2012 года предприятие вошло в интегрированную структуру Концерна «Созвездие», передав предприятию 99,99 % своих акций в уставном капитале.[5][6] В 2014 году ОАО «НИИЭТ» вошло в состав холдинга АО «Объединенная приборостроительная корпорация» (АО «ОПК») ГК «Ростех», объединившего научные и производственные предприятия радиоэлектронной промышленности России. В августе 2016 года компания была переименована в АО «НИИЭТ». В 2017 году АО «НИИЭТ» вошло в контур дивизиона ЭКБ и СВЧ радиоэлектроника АО «ОПК» ГК «Ростех». В том же году на предприятии было запущено производство нитрид-галлиевых транзисторов (GaN-транзисторов) для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации.[7] В 2019 году по соглашению АФК «Система» и Ростех АО «НИИЭТ» перешел из Концерна «Созвездие» во вновь созданное совместное предприятие ООО «Элемент». СанкцииВ 2022 году институт был включен в санкционные списки США на фоне вторжения России на Украину[8], так как компоненты АО “НИИЭТ” используются в российских системах вооружения[9]. Основные виды деятельности
ПродукцияЗа период своего существования институтом было создано более 250 типономиналов изделий. Максимальная производственная мощность: около 300 000 единиц изделий в год. Виды продукции
Сводные характеристики производимых изделий 1. Микроконтроллеры (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): Разрядность: 8,16,32- разрядные;
2. Процессоры цифровой обработки сигналов (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):  Разрядность: 16,32- разрядные;
3. Аналого-цифровые преобразователи: 16- разрядные. 4. Цифро-аналоговые преобразователи (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): 8-24- разрядные.  5. ВЧ и СВЧ-транзисторы Диапазон частот: от 0 до 12 ГГц;
6. СВЧ-модули Диапазон частот: от 0,15 до 3,1 ГГц;
См. такжеПримечания
Литература
Ссылки |
||||||||||||||||||||||
Portal di Ensiklopedia Dunia
