Полупроводник p-типа

Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.

Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами.

Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева — бор, алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк.

Для полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V, например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI — селен, теллур, а акцепторными — группы II — цинк, кадмий, ртуть.

Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой, концентрацией акцепторов, энергией акцепторного уровня над энергией верха валентной зоны, эффективной плотностью уровней в валентной зоне.

• Легирование (полупроводники)
• p-n-переход
• Полупроводник n-типа

Это заготовка статьи по физике. Помогите Википедии, дополнив её.

В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). Информация должна быть проверяема, иначе она может быть удалена. Вы можете отредактировать статью, добавив ссылки на авторитетные источники в виде сносок. (3 марта 2023)