Рамановское рассеяние света в графенеРамановское рассеяние света в графене (комбинационное рассеяние света) — неупругое рассеяние света в графене сопровождаемое заметным сдвигом частоты излучения, которое используется для определения свойств материала таких как толщина, наличие дефектов, концентрации носителей тока. Эффект Рамана главным образом зависит от фононного спектра материала[1]. Рамановский спектр при использовании зелёного лазера в графене характеризуется наличием двух наиболее заметных пиков связанных с наличие C—C связей, который наблюдается в разных углеродных материалах, называемый G- пиком и 2D-пик, который связан с наличием гексагональных углеродных циклов[2]. При наличии дефектов в графене рамановское рассение можно использовать для определения качества материала по амплитуде D-пика. G-пик![]() G-пик расположен в районе 1580 см-1 рамановского сдвига. Этот пик наблюдается в различных соединениях углерода, таких как аморфный углерод, стеклоуглерод, уголь, графит, а также у углеродных плёнках полученных методами распыления и напыления[3]. Этот пик относится к фононной моде с симметрией E2g[4]. 2D-пик2D-пик расположен в районе 2700 см-1 рамановского сдвига. D-пикD-пик расположен в районе 1350 см−1 рамановского сдвига. В присутствии дефектов включая края кристалла этот пик с симметрией A1g характеризует их количество. В идеальном кристалле он отсутствует из-за сохранения импульса[5]. В поликристаллических образцах амплитуда этого пика может быть больше амплитуды G-пика из-за наличия множества дефектов на границах кристаллов. Отношение амплитуд D-пика и G-пика используют для определения размеров кристаллических областей[6]. Сноски
Литература
|
Portal di Ensiklopedia Dunia