После окончания Казанского государственного университета (1954—1959) начал работу инженером в Государственном институте прикладной оптики (инженер, ведущий инженер, старший научный сотрудник, начальник лаборатории квантовой электроники). С 1971 года работает в Казанском физико-техническом институте РАН в лаборатории быстропротекающих молекулярных процессов (главный научный сотрудник)[1]; заведующий лабораторией нестационарной оптической спектроскопии.
Кандидат физико-математических наук по квантовой электронике (1968), доктор физико-математических наук по оптике (1985).
Звания и государственные награды
1982 — лауреат Государственной премии СССР в области науки за цикл работ (1970—1981) по резонансной динамической голографии,[2][нет в источнике]
1988 — лауреат Государственной премии СССР в области науки за открытие и исследование ориентированной кристаллизации полупроводников под действием лазерного света (лазерный отжиг),[3]
2009 — медаль им.академика Ю. Н. Денисюка (Оптическое Общество России, диплом № 3) за выдающиеся достижения в физической оптике и голографии
Член Оптического Общества России (1990)
Член Оптического Общества Америки (1993)
Научные работы
Более 40[4] научных публикаций и 20[уточнить] изобретений в области квантовой электроники, нелинейной оптики и микроэлектроники. Индекс Хирша равен семи[4]. Цитируется в работах по переходным решеткам и эхо-голографии.
Первое наблюдение попутного 4-х волнового взаимодействия, описанного в терминах динамических голограмм[5].
Открытие импульсной ориентированной кристаллизации ионно-имплантированных полупроводников (лазерный отжиг)[6][7].
Теоретическое предсказание[9] и экспериментальное наблюдение[10] явления генерации решеток-интерферограмм при полном разнесении во времени взаимодействующих пучков света, первое наблюдение обращенного фотонного эха.
↑Штырков Е. И. Рассеяние света на периодической структуре из возбужденных и невозбужденных атомов. Письма в ЖЭТФ,1970,т.12,134-137.
↑Штырков Е. И., Хайбуллин И. Б., Галяутдинов М. Ф., Зарипов М. М. Ионнолегированный слой — новый материал для записи голограмм, Опт. и спектр., 1975, т.38 вып.5, 1031—1034.
↑Штырков Е. И., Хайбуллин И. Б., Зарипов М. М., Галяутдинов М. Ф., Баязитов Р. М. Локальный лазерный отжиг ионнолегированных полупроводниковых слоев. Физика и техника полупроводников, 1975, т.9, 2000—2002.
↑Штырков Е. И. Проявление абсолютного движения земли в спутниковой аберрации электромагнитных волн. Вестник Камчатской региональной организации «Учебно-научный центр». Серия: Науки о Земле. 2006. № 7. С. 155—157. Опубликовано с пометкой «Дискуссии».
↑Штырков E. И. Измерение параметров движения земли и солнечной системы. Вестник Камчатской региональной организации «Учебно-научный центр». Серия: Науки о Земле. 2005. № 6. С. 135—143. Опубликовано с пометкой «Дискуссии».
Достоверность этой статьи поставлена под сомнение.
Необходимо проверить точность фактов и достоверность сведений, изложенных в этой статье. Соответствующую дискуссию можно найти на странице обсуждения.(22 сентября 2014)
