Modeli me parametra h

Kёta parametra zakonisht i japin prodhuesit e transistorёve nё tabelёn e tё dhёnave dhe janё tё pёrshtatshme sepse mund tё caktohen eksperimentalisht nё frekuenca tё ulёta.

${\displaystyle h_{i}}$(input) – rezistenca hyrёse -dalja e lidhur shkurt vce=0

${\displaystyle h_{r}}$(revers) – herёsi I riveprimit tё tensionit – hyrja e hapur

${\displaystyle h_{f}}$(forward) -pёrforcimi I rrymёs -dalja e lidhur shkurt vce=0

${\displaystyle h_{o}}$(output) -rezistenca dalёse -hyrja e hapur

Pasi qё edhe parametrat hibrid π edhe parametrat –h mund tё shfrytёzohen pёr modelimin e karakteristikave tё transistorit tё njejtё, kёta parametra nuk janё tё pavarur ndёrmjet veti.

${\displaystyle h_{i}e={\frac {V_{b}e}{I_{b}}}}$

kur ${\displaystyle v_{c}e=0}$

• Rezistenca hyrёse pёr sinjale tё vogla:

${\displaystyle h_{i}e=r_{\pi }}$

• Pёrforcimi i rrymёs pёr sinjale tё vogla:

${\displaystyle h_{f}e={\frac {I_{c}}{I_{b}}}={g_{m}}{r_{\pi }}=\beta }$ kur ${\displaystyle v_{c}e=0}$

• Herёsi i riveprimit tё tensionit: – paraprakisht ёshtё zero dhe zakonisht mund tё mospёrfillet.

${\displaystyle h_{r}e={\frac {V_{b}e}{V_{c}e}}}$ kur ${\displaystyle I_{b}=0}$

• Amitanca dalёse pёr sinjale tё vogla:

${\displaystyle h_{o}e={\frac {I_{c}}{V_{c}e}}}$ kur ${\displaystyle I_{b}=0}$

Parametrat –h pёr transistorin PNP definohen nё mёnyrё tё njejtё si ato pёr komponentin NPN, gjithashtu edhe skema ekuivalente pёr sinjale tё vogla pёr transistorin PNP me parametra –h ёshtё identike me atё tё komponentit NPN, pёrveq qё kahet e rrymave dhe polaritet e tensioneve janё tё kundёrta.