இண்டியம்(III) செலீனைடு

இண்டியம்(III) செலீனைடு
பெயர்கள்
	ஐயூபிஏசி பெயர் இண்டியம்(III) செலீனைடு
	வேறு பெயர்கள் இண்டியம் செலீனைடு, இண்டியம் செசுகியுசெலீனைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12056-07-4
பப்கெம்	166055
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	In2Se3
வாய்ப்பாட்டு எடை	466.516 கி/மோல்
தோற்றம்	கருப்புநிற படிகத் திண்மம்
அடர்த்தி	5.80 கி/செ.மீ³
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். verify (இது ?) வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

இண்டியம்(III) செலீனைடு (Indium(III) selenide) என்பது In₂Se₃ என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இண்டியம் மற்றும் செலீனியம் தனிமங்கள் சேர்ந்து உருவாகும் இச்சேர்மம் ஒளிமின்னழுத்த சாதனங்களில் பயன்படுத்துவதற்கான சாத்தியக்கூறுகளைக் கொண்டுள்ளது. மேலும் விரிவான ஆராய்ச்சிகளுக்கும் இச்சேர்மம் உட்பட்டுள்ளது. α மற்றும் β நிலையிலுள்ள பொதுவான இரண்டு வடிவங்கள் அடுக்கு கட்டமைப்பு படிகங்களாகவும் γ வடிவம் ஊர்ட்சைட்டு படிகக் கட்டமைப்பிலும் காணப்படுகின்றன. ஒட்டு மொத்தமாக α, β, γ, δ, κ என்ற ஐந்து நிலைகளில் இண்டியம்(III) செலீனைடு அறியப்படுகிறது. ^[1] α- β நிலை மாற்றம் பொதுவாக ஒரு மின் கடத்துத்திறன் மாற்றத்துடன் சேர்ந்து நிகழ்கிறது. ^[2] γ- In₂Se₃ சேர்மத்தின் ஆற்றல் இடைவெளி தோராயமாக 1.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டுகளாகும். ஓர் இண்டியம்(III) செலீனைடு மாதிரியின் படிக வடிவம் உற்பத்தி செய்யும் முறையைப் பொறுத்து அமைகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, தூய்மையான γ-In2Se3 நிலையின் மெல்லிய படங்கள் உலோகக்கரிம நீராவிப் படிவு நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி மும்மெத்தில் இண்டியம் (InMe3) மற்றும் ஐதரசன் செலீனைடு ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்படுகிறது. ^[3]

மேலும் காண்க

காலியம்(III) செலினைடு

மேற்கோள்கள்

↑ Crystal structure of κ-In₂Se₃. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Applied Physics Letters, Volume 81, Issue 23, id. 4356 (2002) எஆசு:10.1063/1.1526925
↑ Some Electrical and Optical Properties of In₂Se₃ D. Bidjin, S. Popovi , B. Elustka Physica Status Solidi A Volume 6, Issue 1 , Pages 295 – 299 எஆசு:10.1002/pssa.2210060133
↑ Growth of single-phase In₂Se₃ by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors Chang, K. J.; Lahn, S. M.; Chang, J. Y. Applied Physics Letters, Volume 89, Issue 18, id. 182118 (3 pages) (2006). எஆசு:10.1063/1.2382742 10.1063/1.2382742