Антисегнетоелектрики

Антисегнетоеле́ктрики або антифероелектрики — речовини, в яких полярна фаза (див. сегнетоелектрики) виникає лише в тому випадку, коли прикладене до них електричне поле перевищує певне значення.

Температура переходу речовини до сегнетоелектричного стану називається температурою Нееля за аналогією із антиферомагнетиками.

Фізична природа антисегнетоелектричного ефекту схожа на фізичну природу сегнетоелектризму, за винятком того, що в антисегнетолектриках існують дві поляризовані підґратки, дипольні моменти яких направлені у різні сторони. Як наслідок в малих полях речовина за своїми поляризаційними властивостями схожа на звичайний діелектрик. Проте сильні електричні поля можуть переполяризувати ту із підґраток, яка орієнтована проти поля, тож обидві підґратки стають поляризованими однаково, й речовина має властивості сегнетоелектрика.

Антисегнетоелектриками є деякі смектичні рідкі кристали.

Цей розділ потребує доповнення.

Здатність кристалічної ґратки сегнетоелектриків перебудовуватися в електричному полі робить їх перспективними матеріалами для елементів довготривалої пам'яті.

• Сегнетоелектрики
• Пам'ять комп'ютерна
• Кристали

Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.