Бєляєв Олександр Євгенович

Бєляєв Олександр Євгенович
Бєляєв Олександр Євгенович
Народився	25 червня 1947 (77 років) ; Київ, Українська РСР, СРСР
Країна	СРСР; Україна
Діяльність	фізик
Alma mater	КНУ імені Тараса Шевченка
Заклад	Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Членство	НАНУ
Нагороди	Премія НАН України імені В. Є. Лашкарьова Премія НАН України імені Н. Д. Моргуліса

Олександр Євгенович Бєляєв (25 червня 1947(1947-06-25) , Київ ) — український фізик, дійсний член НАН України. Доктор фізико-математичних наук (1991), професор (1999), член-кореспондент НАН України (2006), дійсний член НАН України (2018).

Життєпис

Народився 25 червня 1947 року в Києві. У 1972 році закінчив Київський університет. З 1973 працює в Інституті фізики напівпровідників НАН України (з 2003 — заступник директора, з 2011 — директор).

Наукові праці стосуються експериментальної фізики напівпровідників, зокрема дослідження транспортних і оптичних явищ у квантових багатошарових гетероструктурах і системах зі зниженою розмірністю. Спільно з іншими з'ясував вплив особливостей зонної структури та специфіки розсіяння носіїв заряду при поглинанні інфрачервоного випромінювання. Досліджує електронні властивості напівпровідникових гетероструктур, явища переносу в низьковимірних системах, їх застосування в приладах НВЧ-електроніки.

Нагороди

Лауреат премії НАН України імені В. Є. Лашкарьова (2005)
Лауреат премії НАН України імені Н. Д. Моргуліса (2013)

Праці

Coexistense of two deep donor states, DX0 and DX, of the Sn donor in Ga1-xAIxAs // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45 (співавт.);
Radiation resistance of GaAs-based mictowave Schottky-barrier devices. K., 1998 (співавт.);
Tunneling through X-valley-related impyrity states in GaAs/AIAs resonant tunneling diodes // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, № 16 (співавт.);
Excess low-frequency noise in AIGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, № 12 (співавт.).