Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники

Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» (КТИПМ СО РАН)
Основан	1991
Расположение	Россия, Новосибирск
Юридический адрес	630090, Новосибирск, проспект Академика Лаврентьева, 2/1

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (КТИПМ СО РАН) — российская научная организация, основанная в 1991 году в Новосибирске^[1]. Филиал Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН^[2]. В сферу интересов предприятия входят термография, ночное видение, контрольно-измерительная техника, спектрорадиометрия, оптико-поляризационные датчики с высокой чувствительностью и т. д.^[1]

Конструкторско-технологический институт был организован в 1991 году; базой для его создания стало СКТБ специальной электроники и аналитического приборостроения, основанное в 1980 году при Отделении главного конструктора Опытного завода СО РАН^[1].

Некоторое время КТИ был частью созданного в 1990 году Объединённого института физики полупроводников СО РАН, в который также входили Институт полупроводников СО РАН и Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (Омск)^[1][3].

В начале 2002 года коллектив организации насчитывал 170 сотрудников, включая шесть кандидатов наук^[1].

• экспериментальные и опытные образцы низкоуровневых телекамер, мультиплексных спектрорадиометрических устройств на циклических кодах Адамара;

• концепция построения и разработка экспериментальных экземпляров оптико-электронных модулей для применения в многоспектральных системах;

• эллипсометрические устройства;

• технологические и контрольно-измерительные приборы для создания фотоприёмников;

• разработка и производство оптико-поляризационных сенсоров высокой чувствительности для научного и технического применения (горное дело, биохимия и т. д.)^[1]

Для пополнения кадрового состава институт занимается отбором студентов в новосибирских вузах и на индивидуальном уровне работает с начинающими специалистами и аспирантами^[1].

В разное время институтом руководили член-корреспондент РАН К. К. Свиташев (1980—1990), кандидат физико-математических наук В. К. Соколов (1990—1995), доктор физико-математичесеих наук В. Н. Овсюк (1996—2000), кандидат технических наук П. В. Журавлев^[1].

По данным сайта СО РАН, учреждение возглавляет С. М. Чурилов (врио директора)^[2].

В 1984 году институт получил Премию Совета Министров СССР за создание эллипсометрических приборов (были запущены в серийное производство); в 1995 году — Государственную премию России за разработку технологической и контрольно-измерительной техники для производства фотодетекторов на базе МЛЭ КРТ^[1].