Владимир Ильич Корольков (19 апреля1938 — 3 августа2015) — советский и российский учёный-физик, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Ленинской премии (1972).
Электрические свойства эпитаксиальных структур с p-n гомо и гетеропереходами в системе Ga p-GaAs.
В 1979 г. защитил докторскую диссертацию:
Электрические и фотоэлектрические явления в AlGaAs гетероструктурах и их применение в полупроводниковых приборах : диссертация … доктора физико-математических наук : 01.04.10. — Ленинград, 1979. — 371 с. : ил.
Научные труды
Автор более 250 печатных трудов и изобретений.
Публикации:
Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур / В. И. Корольков, Н. Рахимов; Отв. ред. Ж. И. Алферов; Наманган. гос. пед. ин-т им. Х. Х. Ниязи. — Ташкент : Фан, 1986. — 150 с. : ил.; 20 см.
Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков. — СПб. : ФТИ, 1999. — 23 с. : ил.; 20 см. — (Препринт / Рос. акад. наук. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе; 1733).
Ж. И. Алферов, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарёв, А. В. Рожков // Письма в ЖТФ, Т.12, 1281 (1986).
Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs — p-GaAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков // ФТП. 1968. — Т. 2. — С. 1016—1019.
Раздел литературы нуждается в оформлении согласно рекомендациям.
Пожалуйста, оформите его согласно образцам здесь.(3 сентября 2023)
В этой биографической статье не указано место рождения.
Вы можете помочь проекту, добавив место рождения в текст статьи.(3 сентября 2023)
В этой биографической статье об умершем человеке не указано место смерти.
Вы можете помочь проекту, добавив место смерти в текст статьи.(3 сентября 2023)
Пожалуйста, после исправления проблемы исключите её из списка параметров. После устранения всех недостатков этот шаблон может быть удалён любым участником.