Вальтер Шотткі

Вальтер Шотткі
нім. Walter Schottky Редагувати інформацію у Вікіданих
Народився23 липня 1886(1886-07-23)[1][2][3] Редагувати інформацію у Вікіданих
Цюрих, Швейцарія[4] Редагувати інформацію у Вікіданих
Помер4 березня 1976(1976-03-04)[1][5][…] (89 років) Редагувати інформацію у Вікіданих
Форхгайм, Верхня Франконія[6] Редагувати інформацію у Вікіданих
ПохованняПрецфельд[6] Редагувати інформацію у Вікіданих
Країна ФРН
 Німецький Райх Редагувати інформацію у Вікіданих
Діяльністьфізик, винахідник, викладач університету, інженер, електротехнік Редагувати інформацію у Вікіданих
Alma materУніверситет Фрідріха-Вільгельма[d]
JMU Редагувати інформацію у Вікіданих
Галузьфізика твердого тіла, фізика[7], електротехніка[7], електроніка[7], напівпровідник[7], electron emissiond[7] і НДДКР[7] Редагувати інформацію у Вікіданих
ЗакладРостоцький університет
JMU
Єнський університет
Siemens
Siemens Редагувати інформацію у Вікіданих
Науковий ступіньбакалавр наук (1908), доктор філософії[8] (1912) і доктор габілітований (1920)
Науковий керівникМакс Планк і Heinrich Rubensd Редагувати інформацію у Вікіданих
ВчителіМакс Планк Редагувати інформацію у Вікіданих
БатькоFriedrich Schottkyd Редагувати інформацію у Вікіданих
Брати, сестриErnst Max Schottkyd Редагувати інформацію у Вікіданих
Нагороди

Вальтер Шотткі (нім. Walter Schottky; 23 липня 1886 — 4 березня 1976) — німецький фізик. Народився в Цюриху. Вчився в Берлінському університеті, де в 1912 році отримав ступінь доктора філософії. В 1920—1923 — лектор Вюрцбургського університету, 1923—1927 — професор Ростоцького університету. У 1916—1919 та з 1927 року працював у лабораторії «Сіменс і Гальске».

Дослідження належать до фізики твердого тіла, статистики, електроніки, фізики напівпровідників, термодинаміки[9]. В 1915 році винайшов електронну лампу з екранною сіткою. Відкрив явище зростання струму насичення емісії електронів під дією зовнішнього електричного поля (ефект Шотткі) та розробив (1914) його теорію. Запропонував у 1918 році супергетеродинний принцип підсилення. В 1930 році розглянув незаповнені вузли кристалічної ґратки, некомпенсовані міжвузловими атомами (дефекти Шотткі), в 1939 досліджував потенційний бар'єр, який утворюється в приконтактному шарі напівпровідник-метал бар'єр Шотткі, побудував теорію напівпровідникових діодів з таким бар'єром (діоди Шотткі). Запропонував механізм провідності в напівпровідниках. Зробив значний внесок у вивчення процесів в електронних лампах та напівпровідниках.

Створив школу фізиків. Німецьким фізичним товариством була затверджена премія імені Вальтера Шотткі за праці в галузі твердого тіла.

Див. також

Примітки

  1. а б Encyclopædia Britannica
  2. а б Енциклопедія Брокгауз
  3. Bibliothèque nationale de France BNF: платформа відкритих даних — 2011.
  4. Deutsche Nationalbibliothek Record #118759183 // Gemeinsame Normdatei — 2012—2016.
  5. SNAC — 2010.
  6. а б https://www.deutsche-biographie.de/gnd118759183.html
  7. а б в г д е Чеська національна авторитетна база даних
  8. https://cpr.uni-rostock.de/resolve/id/cpr_person_00002340
  9. Welker, Heinrich (June 1976). Walter Schottky. Physics Today. 29 (6): 63—64. doi:10.1063/1.3023533. Архів оригіналу за 28 вересня 2013. Процитовано 30 жовтня 2013.


Prefix: a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Portal di Ensiklopedia Dunia

Kembali kehalaman sebelumnya