Сяргей Васільевіч Гапоненка

Сяргей Васільевіч Гапоненка
Сяргей Васільевіч Гапоненка
Дата нараджэння	5 чэрвеня 1958 (66 гадоў)
Месца нараджэння	Мінск, БССР, СССР;
Грамадзянства	СССР; Беларусь;
Род дзейнасці	фізік
Навуковая сфера	фізіка
Месца працы	БДУ; Інстытут фізікі імя Б. І. Сцяпанава НАН Беларусі; Інстытут малекулярнай і атамнай фізікі НАН Беларусі;
Навуковая ступень	доктар фізіка-матэматычных навук
Навуковае званне	прафесар (2008); акадэмік НАН Беларусі (2014);
Альма-матар	БДУ (1980);
Навуковы кіраўнік	Віктар Паўлавіч Грыбкоўскі
Прэміі	прэмія Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (2010)
Узнагароды

Сяргей Васільевіч Гапоненка (нар. 5 чэрвеня 1958, Мінск) — беларускі фізік. Акадэмік Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (2014; член-карэспандэнт з 2004), доктар фізіка-матэматычных навук (1996), прафесар (2008).

Біяграфія

Скончыў Белдзяржуніверсітэт (1980).

З 1980 года ў Інстытуце фізікі імя Б. І. Сцяпанава Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. У 1997—1999 гадах — намеснік дырэктара па навуковай рабоце, у 1999—2000 гадах — в.а. дырэктара, у 2000—2007 гадах — дырэктар і адначасова з 2001 года загадчык лабараторыі Інстытута малекулярнай і атамнай фізікі Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. З 2007 года — загадчык лабараторыі Інстытута фізікі імя Б. І. Сцяпанава Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі^[1]. Адначасова з 2014 года — старшыня навуковага савета, дырэктар Выканаўчай дырэкцыі Беларускага рэспубліканскага фонду фундаментальных даследаванняў^[2], з чэрвеня 2023 года — дырэктар Інстытута фізікі імя Б. І. Сцяпанава НАН Беларусі^[3].

Узнагароды

Прэмія Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі 2010 года, медаль Францыска Скарыны (2017).

Навуковая дзейнасць

Навуковыя даследаванні ў галіне фізікі і оптыкі нанаструктур кандэнсаваных асяроддзяў. Устанавіў ролю прымеснай рэкамбінацыі ў фарміраванні нелінейных аптычных уласцівасцяў паўправадніковых крышталяў. Упершыню выявіў і даследаваў неаднароднае пашырэнне аптычных спектраў паўправадніковых нанакрышталёў у дыэлектрычных матрыцах, усталяваў шэраг прынцыповых заканамернасцяў эвалюцыі уласцівасцяў наначасціц пры пераходзе ад малаатамных кластараў да аб’ёмных цвёрдых целаў. Даследаваў узаемадзеянне электрамагнітнага выпраменьвання з квантавымі сістэмамі ва ўмовах прасторавага абмежавання электрамагнітных хваль. Прапанаваў выкарыстоўваць коллоідныя крышталічныя нанаструктуры ў якасці прататыпа для стварэння «фатонных крышталяў», выявіў і даследаваў змену верагоднасці квантавых пераходаў малекул у такіх наноструктурах, абумоўленае змяненнем шчыльнасці фатонных станаў. На аснове аналізу квантавых працэсаў працэсаў у нанаструктурах прапанаваў механізм узмацнення рэзананснага і камбінацыйнага рассейвання святла ў нанаструктурах, а таксама практычныя метады павышэння адчувальнасці спектраскапіі гіганцкага камбінацыйнага рассейвання і эфектыўнасці святловыпрамяняльных цвёрдацельных структур. Устанавіў асноўныя заканамернасці распаўсюджвання выпраменьвання ў наноструктурах з фрактальнай геаметрыяй, прапанаваў прынцыпы кадавання інфармацыі на аснове характарыстычных спектраў класічных хваль і квантавых часціц у наноструктурах.

Аўтар каля 200 навуковых прац, у т. л. 3 манаграфій. Пад яго рэдакцыяй замежнымі выдавецтвамі апублікавана 6 зборнікаў навуковых прац па фізіцы нанаструктур.

Бібліяграфія

Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. 1996. Т.30, № 4.
Испускание и рассеяние света в наноструктурах: роль плотности фотонных состояний // Изв. РАН. Сер. физ. 2004. Т.68, № 1.
Semiconductor Quantum Structures. Part 2. Optical Propertries. Springer Verlag, Berlin, 2004 (with H. Kalt, U. Woggon).
Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. Cambridge University Press, Cambridge, 2005.
Introduction to Nanophotonics. Cambridge University Press, Cambridge, 2010.