Глоссарий физики полупроводниковААдатом — атом на поверхности кристалла. Адиабатическое приближение — приближение в теории твёрдого тела, при котором движение остовов ионов кристаллической решётки рассматривается в качестве возмущения. См. фононы. Акцептор — примесь в полупроводниковом материале, которая захватывает свободный электрон. ББарьер Шоттки — потенциальный барьер, возникающий на границе металл — полупроводник Безызлучательная рекомбинация — рекомбинация без испускания квантов света. Передача энергии электронно-дырочной пары происходит либо колебаниям решетки (фононам), либо третьей частице (Оже-рекомбинация). Бесщелевой полупроводник — полупроводник с нулевой шириной запрещённой зоны. Бинарные соединения — химические вещества, образованные двумя химическими элементами. ВВалентная зона — зона валентных электронов, при нулевой температуре в собственном полупроводнике полностью заполнена. Вольт-амперная характеристика — зависимость тока от напряжения. Основная характеристика для любого полупроводникового прибора. ГГаллий — элемент пятой группы периодической системы элементов. Гальваномагнитные эффекты — эффекты связанные с действием магнитного поля на электрические (гальванические) свойства твердотельных проводников. ДДвумерный электронный газ — электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из координат. Дефекты кристалла — любое нарушение периодичности кристалла. Дивакансия — конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий. Диод — полупроводниковый прибор с двумя электродами.
Дислокация — линейный дефект в кристалле. Дислокация несоответствия — один из типов линейных дефектов в кристалле, когда дополнительная полуплоскость вставлена в кристаллическую решётку. Донор — тип легирующих примесей, поставляющих свободные электроны. Дырка — квазичастица в твёрдом теле с положительным зарядом, равным по абсолютному значению заряду электрона. Дырочная проводимость — в полупроводнике с p-типом проводимости основные носители заряда дают основной вклад в проводимость. Дырочный полупроводник — полупроводник с p-типом проводимости, основные носители заряда — дырки. Двухдолинный полупроводник — полупроводник, зона проводимости которого имеет два энергетических минимума. ЗЗакон дисперсии — Зависимость энергии от квазиволнового вектора . В полупроводнике с параболическим законом дисперсии эффективная масса не зависит от энергии. Затвор — управляющий электрод в полевом транзисторе. Зона — термин зонной теории, обозначающий область разрешённых значений энергии, которые могут принимать электроны или дырки. Зонная теория твёрдых тел — одноэлектронная теория для периодического потенциала, объясняющая многие электрофизические свойства полупроводников. Использует адиабатическое приближение. ИИзлучательная рекомбинация — рекомбинация с испусканием одного или нескольких фотонов при гибели электрон-дырочной пары; источник излучения в светодиодах и лазерных диодах. Инжекция — явление, приводящее к появлению неравновесных носителей в полупроводнике при пропускании электрического тока через p-n-переход или гетеропереход. Исток — термин, обозначающий один из контактов в полевом транзисторе. ККристалл — идеализированная модель твёрдого тела с трансляционной симметрией. Кремний — полупроводник, основной материал современной полупроводниковой промышленности. ЛЛавинная инжекция — см. ЛИЗМОП-структуры Люминесценция — свечение твёрдых под влиянием внешнего воздействия (пропускание электрического тока, возбуждение светом или заряженными частицами). ММеханическое движение — изменение с течением времени положения тела относительно других тел. ННеосновные носители магнитное поле ООптические переходы — переходы электрона в твёрдом теле между состояниями с различной энергиями с испусканием или поглощением света. Основные носители — тип преобладающих в полупроводнике носителей заряда. ППараболический закон дисперсии — у полупроводников с параболическим законом дисперсии можно ввести массу, которая отличается от массы покоя электрона. В этом случае частица, движущаяся в кристаллическом потенциале, не замечает его и ведёт себя как свободная частица. Примеси — инородные атомы в чистом материале. Примесная зона — зона, которая образуется при сильном легировании полупроводника, когда волновые функции электронов соседних примесей перекрываются. РРассеяние на акустических фононах Рассеяние на оптических фононах Рекомбинация — гибель пары электрон-дырка. ССток — один из контактов в полевом транзисторе. ТТермализация — процесс установления термодинамического равновесия для неосновных носителей заряда. Термогальваномагнитные эффекты — эффекты, возникающие под влиянием магнитного поля в электропроводности и теплопроводности проводников. Точечные дефекты или нульмерные дефекты — дефекты кристалла, при которых периодичность потенциала нарушается только локально. УУровень Ферми — энергетический уровень, который при абсолютном нуле температур разделяет полностью заполненные квантовые состояния от полностью незанятых состояний. ФФонон — Квазичастица, квант колебательного движения атомов кристалла. Фотопроводимость — проводимость полупроводника при воздействии света. Даёт информацию о дефектах в полупроводниках. ХЦШШирина запрещённой зоны, Eg — одна из основных электрофизических характеристик полупроводника. Разность между энергией дна зоны проводимости и потолком валентной зоны. Широкозонные полупроводники — полупроводники с шириной запрещённой зоны 1 эВ < Eg < 3 эВ ЭЭкситон — квазичастица в твёрдом теле, связанное состояние электрона и дырки. Обладает ограниченным временем жизни. Электрон — квазичастица в твёрдом теле с зарядом электрона, но с отличной массой. Электронное сродство — энергия выделяющаяся при присоединении одного электрона к твердому телу. Для металлов совпадает с термодинамической работой выхода, для полупроводников отличается от неё на величину EС-EF, поскольку присоединенный электрон попадает на дно зоны проводимости. Электронный полупроводник — полупроводник с n-типом проводимости, где основные носители — электроны. Эффект Ганна — периодические колебания тока в двухдолинных полупроводниках Эффект Нернста — Эттингсгаузена Эффект Холла — возникновение поперечной разности потенциалов при протекании тока во внешнем магнитном поле.
Эффект Шубникова — де Гааза — осцилляции магнетосопротивления периодичные по обратному магнитному полю. Эффективная масса — перенормированная масса электрона в кристаллической решётке. Примени́м к полупроводникам с параболическим законом дисперсии. Для различных разрешённых зон эффективная масса квазичастиц различается, поэтому появляются тяжёлые и лёгкие дырки. В общем случае нужно масса зависит от направления в кристалле и говорят о тензоре эффективной массы.
|
Portal di Ensiklopedia Dunia
