Неизвестный, Игорь Георгиевич

Игорь Георгиевич Неизвестный
Игорь Георгиевич Неизвестный
Дата рождения	26 ноября 1931 (93 года)
Место рождения	Одесса, Украинская ССР, СССР;
Страна	СССР→ Россия
Род деятельности	физик
Научная сфера	физик
Место работы	Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГТУ
Альма-матер	МЭИ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	профессор, член-корреспондент АН СССР, член-корреспондент РАН
Научный руководитель	А. В. Ржанов
	\|\| \|\|

И́горь Гео́ргиевич Неизве́стный (род. 26 ноября 1931 года, Одесса) — советский и российский физик. Член-корреспондент АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, 1990).

Биография

Дед по матери — чл.-корр. АН СССР, академик АН УССР Александр Яковлевич Орлов^[1].

В 1956 году Игорь Неизвестный окончил электромеханический факультет Московского энергетического института по специальности «Диэлектрики и полупроводники», ученик А. В. Ржанова. С 1956 по 1962 год вёл научную работу в Физическом институте АН СССР.

С 1962 года работал в Институте физики полупроводников (ныне — им. А. В. Ржанова) СО АН СССР, один из создателей Института, заместитель директора по научной работе (1962—1973 и 1980—2004), с 1973 по 1980 год — заведующий лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур», с 2004 года — заведующий отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники», советник РАН.

Кандидат физико-математических наук (1966, тема диссертации «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия»), доктор физико-математических наук (1980, тема диссертации «Исследование границы раздела германий — диэлектрик»).

Преподаёт в Новосибирском государственном техническом университете^[2], с 1983 года — профессор.

Научный руководитель и консультант 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

Научные интересы

Фундаментальные результаты в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Исследовал физические процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик, взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами. Вёл компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв.

Работы по квантовой криптографии, поверхностно-барьерным биосенсорам.

Библиография

Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. 1 // Наноэлектроника. — 3-е. — М.: Юрайт, 2022. — 285 с. — ISBN 978-5-534-05170-4.
Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. 2 // Наноэлектроника. — 3-е. — М.: Юрайт, 2024. — 235 с. — ISBN 978-5-534-05171-1.

Награды

Орден Трудового Красного Знамени (1971).
Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов» (1995).
Премия Правительства Российской Федерации в области образования (2012).
Почётная грамота Президента Российской Федерации (5 февраля 2024) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[3].
Почётная грамота Российской академии наук (23 апреля 2024) — за многолетний плодотворный труд на благо отечественной науки, значительный вклад в развитие фундаментальных и прикладных научных исследований в области полупроводников, физики конденсированного состояния, полупроводниковой микро- и наноэлектроники, квантовых технологий и в связи с 60-летием основания федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.