Ржанов, Анатолий Васильевич

Анатолий Васильевич Ржанов
Анатолий Васильевич Ржанов
	; 1999 год
Дата рождения	9 апреля 1920
Место рождения	Иваново-Вознесенск, Иваново-Вознесенская губерния, РСФСР
Дата смерти	25 июля 2000 (80 лет)
Место смерти	Новосибирск, Россия;
Страна	СССР→ Россия
Род деятельности	физик, учитель, электротехник, преподаватель университета
Научная сфера	микроэлектроника
Место работы	ФИАН, ИФП СО РАН, НГУ
Альма-матер	Ленинградский политехнический институт
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	академик АН СССР (1984), академик РАН (1991)
Ученики	И. Г. Неизвестный

Анато́лий Васи́льевич Ржа́нов (9 апреля 1920, Иваново-Вознесенск, Иваново-Вознесенская губерния, РСФСР — 25 июля 2000, Новосибирск, Россия) — советский и российский учёный, специалист в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Академик АН СССР и РАН.

Биография

С началом Великой Отечественной войны в декабре 1941 года студентом выпускного курса ушёл добровольцем в части морской пехоты, служил на «морском охотнике» на Балтийском флоте^[4].

Получив краткосрочный отпуск для сдачи экзаменов и защиты диплома, окончил Ленинградский политехнический институт (1941, с отличием).

Воевал на Ленинградском фронте, на «Ораниенбаумском пятачке». Командовал отрядом разведчиков морской пехоты, участвовал в боевых операциях, разведке боем, совершал рейды в тыл врага. Младший лейтенант. Адъютант комбрига. В 1943 году в боях по прорыву блокады Ленинграда получил тяжёлое ранение^[5].

В конце 1943 года, демобилизованный из армии, сдал вступительные экзамены в аспирантуру Физического института им. Лебедева (ФИАН). Уже после демобилизации перенёс воспаление лёгких. Во время посещения бывших фронтовых сослуживцев вновь оказался участником боевых действий, получил контузию. Был награждён орденом Отечественной войны 2 степени. В 1944—1945 годах лечился в госпиталях от осложнений, полученных из-за ранений и контузий, ослеп на один глаз.

В 1948 году окончил аспирантуру ФИАН, участник первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора. Кандидат физико-математических наук (22.06.1949)^[6].

В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева с группой сотрудников ФИАНа переехал в новосибирский Академгородок, где организовал Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (ныне — Институт физики полупроводников). Директор Института 1964—1990. Избран членом-корреспондентом АН СССР (1962). Академик АН СССР (1984). Заместитель председателя СО АН СССР (1985—1990).

Преподавал в Новосибирском государственном университете, где организовал кафедру физики полупроводников (1963), которую возглавлял долгие годы. В числе учеников Анатолия Васильевича три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.

Награды

Орден «За заслуги перед Отечеством» 4-й степени (1999)
Орден Ленина (8.04.1980)^[7]
Орден Октябрьской Революции
Орден Трудового Красного Знамени
Орден Отечественной войны 1-й степени (11.03.1985)
Орден Отечественной войны 2-й степени
Медаль «За отвагу»
Медаль «За оборону Ленинграда»
другие медали СССР
Премия Совета Министров СССР

Анекдоты

При переводе книги Шокли^[8] выдержал серьёзную борьбу с редактором издательства, который упорно изменял термин — «носитель заряда — дырка» на «носитель заряда — отверстие»^[9].

Память

Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)^[10].

В 2010 году в честь А. В. Ржанова названа улица в новосибирском Академгородке, на которой расположен главный корпус Института физики полупроводников СО РАН^[11].

Примечания

↑ Ржанов Анатолий Васильевич // Большая советская энциклопедия: [в 30 т.] — 3-е изд. — М.: Советская энциклопедия, 1969.
↑ מאגר זהויות לאומי (ивр.)
↑ Чешская национальная авторитетная база данных
↑ Память народа (неопр.). Дата обращения: 19 декабря 2016. Архивировано 25 января 2019 года.
↑ ВСЯ ЖИЗНЬ — РАЗВЕДКА БОЕМ (неопр.). Дата обращения: 12 сентября 2015. Архивировано 10 марта 2016 года.
↑ 22 июня 1949 года (символично!) он защитил кандидатскую диссертацию по исследованию пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектриков. (неопр.) Дата обращения: 12 сентября 2015. Архивировано 10 марта 2016 года.
↑ Указ Президиума Верховного Совета СССР от 8 апреля 1980 года № 1852—Х «О награждении члена-корреспондента Академии наук СССР Ржевцева А. А. орденом Ленина» // «Ведомости Верховного Совета Союза Советских Социалистических Республик». — № 16 (2038) от 16 апреля 1980 года. — Ст.290.
↑ Шокли В. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов = Electrons and Holes in Semiconductores with Applications to Transistor Electronics. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953.
↑ Наука в Сибири // N 14 (2500) 15 апреля 2005 г. (неопр.) Дата обращения: 14 января 2017. Архивировано 16 января 2017 года.
↑ История Института (неопр.). Дата обращения: 20 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
↑ Улица имени Ржанова, [[Наука в Сибири]], № 1-2, 13 января 2011 г. (неопр.) Дата обращения: 9 ноября 2015. Архивировано 26 января 2019 года.

Литература

След на земле. Солдат, Учёный, Учитель: посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920—2000 гг. / Отв. ред. чл.-корр. РАН Неизвестный И. Г. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. — 460 с.