காலியம்(II) தெலூரைடு

காலியம்(II) தெலூரைடு
Gallium(II) telluride
பெயர்கள்
	வேறு பெயர்கள் காலியம் தெலூரைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12024-14-5
ChemSpider	28468137
EC number	234-690-1
	InChI InChI=1S/Ga.Te; Key: OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N;
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	14496722
	SMILES [Te]=[Ga][Ga]=[Te];
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	GaTe
வாய்ப்பாட்டு எடை	197.32 கி/மோல்
தோற்றம்	கருப்பு நிறம்
அடர்த்தி	5.44 கி/செ.மீ3, திண்மம்
உருகுநிலை	824 °C (1,515 °F; 1,097 K)
கட்டமைப்பு
படிக அமைப்பு	அறுகோணம், hP8
புறவெளித் தொகுதி	P63/mmc, No. 194
தீங்குகள்
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள்	காலியம்(II) ஆக்சைடு, காலியம் (II) சல்பைடு, காலியம் மோனோசெலீனைடு
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள்	துத்தநாக(II) தெலூரைடு, செருமேனியம்(II) தெலூரைடு, இண்டியம்(II) தெலூரைடு
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். verify (இது ?) வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

காலியம்(II) தெலூரைடு (Gallium(II) telluride) என்பது GaTe என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். GaTe சேர்மத்தின் கட்டமைப்பும் மின்னணு பண்புகளும் ஆராய்ச்சிகளைத் தூண்டும் வண்ணம் உள்ளன. ஏனெனில் இச்சேர்மம் அல்லது தொடர்புடைய சேர்மங்கள் மின்னணுத் துறையில் பயன்பாடுகளைக் கொண்டிருக்கின்றன. காலியம், தெலூரைடு தனிமங்களை வினைபுரியச் செய்வதன் மூலமோ அல்லது உலோக கரிம ஆவி படிவு மூலமாகவோ உருவாக்கலாம்.^[1]

தனிமங்களிலிருந்து உற்பத்தி செய்யப்படும் GaTe ஓர் ஒற்றைச்சாய்வு படிக அமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. ஒவ்வொரு காலியம் அணுவும் 3 தெலூரியம் மற்றும் ஒரு காலியம் அணுவால் நான்முகியாக ஒருங்கிணைக்கப்படுகிறது. Ga₂ அலகில் உள்ள காலியம்-காலியம் பிணைப்பு நீளம் 2.43 ஆங்சுட்ராம் ஆகும். இந்த கட்டமைப்பு அடுக்குகளால் ஆனதாகும். Ga₂⁴⁺ 2Te²⁻ என வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.^[2] அடுக்குகளுக்குள் காணப்படும் பிணைப்பு அயனி-சகப்பிணைபாகவும் அடுக்குகளுக்கு இடையில் காணப்படும் பிணைப்பு முக்கியமாக வான் டெர் வால்சு பிணைப்பாகவும் உள்ளன. GaTe என்பது அடுக்கு குறைக்கடத்தியாக வகைப்படுத்தப்பட்டுள்ளது GaSe மற்றும் InSe போன்றவையும் ஒத்த அமைப்புகளைக் கொண்டுள்ளன. இச்சேர்மம் அறை வெப்பநிலையில் 1.65 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு ஆற்றலைக் கொண்டுள்ள ஒரு நேரடி பட்டை இடைவெளி குறைக்கடத்தி ஆகும்.^[3] ஆல்க்கைல் காலியம் தெலூரைடு கியூபேன் வகை கொத்துக்களிலிருந்து குறைந்த அழுத்த உலோக கரிம ஆவி படிவு முறை மூலம் ஓர் அறுகோண வடிவத்தை உருவாக்க முடியும், எடுத்துக்காட்டாக (t-பியூட்டைல்காலியம்( μ₃-Te))_4.. மையமானது எட்டு அணுக்கள், நான்கு காலியம் மற்றும் நான்கு டெல்லூரியம் அணுக்கள் கொண்ட ஒரு கனசதுரத்தைக் கொண்டுள்ளது. ஒவ்வொரு காலியமும் இணைக்கப்பட்ட டி-பியூட்டைல் குழுவையும் மூன்று அருகிலுள்ள தெலூரியம் அணுக்களையும் கொண்டுள்ளது. மேலும் ஒவ்வொரு தெலூரியமும் மூன்று அருகிலுள்ள காலியம் அணுக்களைக் கொண்டுள்ளன. Ga₂⁴⁺ அலகுகளைக் கொண்ட ஒற்றைச்சரிவச்சு வடிவத்துடன் நெருங்கிய தொடர்புடைய அறுகோண வடிவம், 500 °செல்சியசு வெப்பநிலையில் ஆற்றிப் பதப்படுத்தப்பட்டால் ஒற்றைச்சரிவச்சு வடிவமாக மாறுகிறது.^[1]

மேற்கோள்கள்

↑ ^1.0 ^1.1 Chemical Vapor Deposition of Hexagonal Gallium Selenide and Telluride Films from Cubane Precursors: Understanding the Envelope of Molecular Control, E. G. Gillan and A. R. Barron Chem. Mater., 9 (12), 3037-3048, 1997.
↑ Monotellurure de gallium, GaTe, Julien-Pouzol M., Jaulmes S., Guittard M., Alapini F., Acta Crystallographica B. Vol. 35, no. 12, pp. 2848-2851. 15 Dec. 1979 எஆசு:10.1107/S0567740879010803
↑ Anharmonicity in GaTe layered crystals, A. Aydinli, N. M. Gasanly, A. Uka, H. Efeoglu, Cryst. Res. Technol. 37 (2002) 12, pp. 1303–1309