氧化铟 提示：此条目的主题不是氧化铟(I)。
氧化铟是一种无机化合物，化学式为In2O3，是一种兩性氧化物，且为铟最稳定的氧化物。 制备块状样品可通过铟（Ⅲ）的氢氧化物、硝酸盐、碳酸盐或硫酸盐的热分解来制备[2]。氧化铟的薄膜可以通过在氩/氧气中铟靶的溅射沉积来制备。它们可被用作半导体的扩散阻挡层（“阻挡金属”），例如可抑制铝和硅之间的扩散[3]。 化学性质氧化铟在700℃分解为氧化亚铟（一氧化二铟），其于2000℃进一步分解。 淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱，但棕红色的相对难溶。[4]和氨在高温下反应，形成氮化铟。[5]
氧化铟和Cs2O在600℃反应，可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯（CsInO2）[4]；K2O和铟可以形成分子式为K5InO4的化合物，其中有四面体结构的InO45−。[7] 和一些三价金属氧化物反应，可以形成钙钛矿结构的化合物[8]，例如：
应用氧化铟被使用在一些类型的电池，对可见光透明的薄膜红外线反射镜（热镜），一些光学涂层，有的抗静电涂料。二氧化锡的组合，氧化铟形式的氧化铟锡（也称为锡掺杂的氧化铟或ITO）用于透明导电涂层的材料。 在半导体中，氧化铟可以作为一种n型半导体，用于集成电路中的电阻器。[9] 参考文献
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Index:
pl ar de en es fr it arz nl ja pt ceb sv uk vi war zh ru af ast az bg zh-min-nan bn be ca cs cy da et el eo eu fa gl ko hi hr id he ka la lv lt hu mk ms min no nn ce uz kk ro simple sk sl sr sh fi ta tt th tg azb tr ur zh-yue hy my ace als am an hyw ban bjn map-bms ba be-tarask bcl bpy bar bs br cv nv eml hif fo fy ga gd gu hak ha hsb io ig ilo ia ie os is jv kn ht ku ckb ky mrj lb lij li lmo mai mg ml zh-classical mr xmf mzn cdo mn nap new ne frr oc mhr or as pa pnb ps pms nds crh qu sa sah sco sq scn si sd szl su sw tl shn te bug vec vo wa wuu yi yo diq bat-smg zu lad kbd ang smn ab roa-rup frp arc gn av ay bh bi bo bxr cbk-zam co za dag ary se pdc dv dsb myv ext fur gv gag inh ki glk gan guw xal haw rw kbp pam csb kw km kv koi kg gom ks gcr lo lbe ltg lez nia ln jbo lg mt mi tw mwl mdf mnw nqo fj nah na nds-nl nrm nov om pi pag pap pfl pcd krc kaa ksh rm rue sm sat sc trv stq nso sn cu so srn kab roa-tara tet tpi to chr tum tk tyv udm ug vep fiu-vro vls wo xh zea ty ak bm ch ny ee ff got iu ik kl mad cr pih ami pwn pnt dz rmy rn sg st tn ss ti din chy ts kcg ve
Portal di Ensiklopedia Dunia
