டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு

டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு
Dysprosium disilicide

பெயர்கள்
வேறு பெயர்கள் டிசிப்ரோசியம் சிலிசைடு, டிசிப்ரோசியம்(II) சிலிசைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12133-07-2 Y
ChemSpider	129556531
EC number	235-207-7
InChI InChI=1S/Dy.2Si Key: PEGILKWBIXTZFZ-UHFFFAOYSA-N
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	170843540
SMILES [Si].[Si].[Dy]
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	DySi2
வாய்ப்பாட்டு எடை	218.67 g·mol−1
தோற்றம்	அடர் சாம்பல் படிகங்கள்
அடர்த்தி	5.2 கி/செ.மீ3
உருகுநிலை	1,550 °C (2,820 °F; 1,820 K)
நீரில் கரைதிறன்	கரையாது
கட்டமைப்பு
படிக அமைப்பு	நேர்ச்சாய்சதுரம்
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு (Dysprosium disilicide) என்பது DySi₂ என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். டிசிப்ரோசியமும் சிலிக்கானும் சேர்ந்து இந்த இருமச் சேர்மம் உருவாகிறது.^[1][2][3] டிசிப்ரோசியம் டைசிலிசைடு என்ற பெயராலும் இச்சேர்மம் அறியப்படுகிறது.

a = 0.404 நானோமீட்டர், b = 0.395 நானோமீட்டர், மற்றும் c = 1.334 நானோமீட்டர் என்ற அணிக்கோவை அளவுருக்களைக் கொண்ட நேர்ச்சாய்சதுரப் படிக அமைப்பில் அடர் சாம்பல் நிற படிகங்களாக டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு உருவாக்குகிறது.^[4]

டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு அதிக அரிப்பு எதிர்ப்பு சேர்மமாக வகைப்படுத்தப்படுகிறது. கொதிக்கும் நீரில் எட்டு மணி நேரம் வெளிப்படுத்தினால் மாதிரிகளின் எடை மற்றும் தோற்றத்தில் எந்த மாற்றமும் நிகழாது. 1000 °செல்சியசு வெப்பநிலைக்கும் அதிகமான வெப்பநிலையில் டிசிப்ரோசியம் இருசிலிசைடு காற்றில் மெதுவாக ஆக்சிசனேற்றம் அடைகிறது.

மேம்பட்ட மின்னணுவியல், காந்த சாதனங்கள் மற்றும் உயர் வெப்பநிலை பூச்சுகள் உள்ளிட்ட பல்வேறு பயன்பாடுகளுக்கு DySi₂ ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய பொருளாகும்.^[5]

1. ↑ "Dysprosium Disilicide Powder (DySi2)" (in ஆங்கிலம்). samaterials.com. Retrieved 21 June 2025.
2. ↑ "CAS 12133-07-2 Dysprosium disilicide - Alfa Chemistry". alfa-chemistry.com. Retrieved 21 June 2025.
3. ↑ "Dysprosium(II) Silicide". American Elements. Retrieved 21 June 2025.
4. ↑ Perry, Dale L. (19 April 2016). Handbook of Inorganic Compounds (in ஆங்கிலம்). CRC Press. p. 162. ISBN 978-1-4398-1462-8. Retrieved 21 June 2025.
5. ↑ Liu, B. Z.; Nogami, J. (1 January 2003). "A scanning tunneling microscopy study of dysprosium silicide nanowire growth on Si(001)". Journal of Applied Physics 93 (1): 593–599. doi:10.1063/1.1516621. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:0021-8979. Bibcode: 2003JAP....93..593L. https://pubs.aip.org/aip/jap/article-abstract/93/1/593/763195/A-scanning-tunneling-microscopy-study-of?redirectedFrom=fulltext. பார்த்த நாள்: 21 June 2025.