தைட்டானியம் முச்சல்பைடு (Titanium trisulfide) என்பது TiS3 என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல்சேர்மமாகும். தைட்டானியமும்கந்தகமும் சேர்ந்து இச்சேர்மம் உருவாகிறது. இதன் வாய்பாட்டு அலகில் ஒரு Ti4+ நேர்மின் அயனியும், ஒரு S2− எதிர்மின் அயனி மற்றும் ஒரு S22− அயனிகள் உள்ளன.
TiS3 ஓர் அடுக்கு படிக அமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. இந்த அடுக்குகள் ஒன்றுக்கொன்று பலவீனமாக பிணைக்கப்பட்டுள்ளன. ஒரு பிசின் நாடாவைக் கொண்டு இதை அடை அடையாக உரித்தெடுக்கலாம். உரித்தெடுத்த இச்செதில்கள் அதிமெல்லிய திரிதடையங்களில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.[2]
தயாரிப்பு
நுண்படிக இழை அளவிலான தைட்டானியம் முச்சல்பைடை 500 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் அதிகப்படியான கந்தகத்தை கடத்தும் வாயுவாகப் பயன்படுத்தி வேதியியல் ஆவி போக்குவரத்து முறை மூலம் படிகமாக வளர்க்கலாம்.[1][2]
பண்புகள்
TiS3 சேர்மத்தின் அடுக்கு கட்டமைப்பை வெளிப்படுத்தும் எலக்ட்ரான் கடத்தும் நுண்பொறி வரைபடம்
தைட்டானியம் முச்சல்பைடு 1 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி கொண்ட n-வகை குறைக்கடத்தி ஆகும்.[2] இதன் தனி அடுக்குகள் TiS அணுச் சங்கிலிகளால் ஆனவை. எனவே இவை திசையொவ்வா பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது. இவற்றின் பண்புகள் சமதளத்தில் உள்ள நோக்குநிலையைப் பொறுத்து அமைகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, இதே மாதிரியில், எலக்ட்ரான் இயக்கம் 80 செமீ2/(V·s) b-அச்சிலும், 40 செ.மீ2/(V·s) a-அச்சிலும் இருக்கின்றன.[3]
மேற்கோள்கள்
↑ 1.01.1Gorochov, O.; Katty, A.; Le Nagard, N.; Levy-Clement, C.; Schleich, D.M. (1983). "Photoelectrochemical study of TiS3 in aqueous solution". Materials Research Bulletin18: 111–118. doi:10.1016/0025-5408(83)90178-2.
↑ 2.02.12.22.3Lipatov, Alexey; Wilson, Peter M.; Shekhirev, Mikhail; Teeter, Jacob D.; Netusil, Ross; Sinitskii, Alexander (2015). "Few-layered titanium trisulfide (TiS3) field-effect transistors". Nanoscale7 (29): 12291–12296. doi:10.1039/C5NR01895A. பப்மெட்:26129825. Bibcode: 2015Nanos...712291L.
