இண்டியம்(II) செலீனைடு

இண்டியம்(II) செலீனைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	1312-42-1
ChemSpider	4906850
	InChI InChI=1S/In.Se; Key: NMHFBDQVKIZULJ-UHFFFAOYSA-N;
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	101946410
	SMILES [Se].[In];
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	InSe
வாய்ப்பாட்டு எடை	193.79 g·mol−1
அடர்த்தி	5.0
உருகுநிலை	611 °C (1,132 °F; 884 K)
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

இண்டியம்(II) செலீனைடு (Indium(II) selenide) என்பது InSe என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இண்டியமும் செலீனியமும் சேர்ந்து இச்சேர்மம் உருவாகிறது. இது ஒரு III-VI அடுக்கு குறைக்கடத்தி ஆகும். இந்த திடப்பொருள் வான் டெர் வால்சு விசைகளால் மட்டுமே பிணைக்கப்பட்ட இரு பரிமாண அடுக்குகளைக் கொண்ட ஓர் அமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. ஒவ்வொரு அடுக்கிலும் Se-In-In-Se வரிசையில் அணுக்கள் உள்ளன.^[2]

புல விளைவு திரிதடையங்கள், ஒளி மின்னணுவியல், ஒளிமின்னழுத்தியம், நேரிலி ஒளியியல், திரிபளவிகள்,^[2] மற்றும் மெத்தனால் வாயு உணரிகள் ஆகியவற்றுக்கான சாத்தியமான பயன்பாடுகள் இச்சேர்மத்திற்கு உள்ளன.^[3]

உருவாக்கம்

இண்டியம்(II) செலீனைடை பல்வேறு முறைகள் மூலம் உருவாக்கலாம். மொத்தமாக திடப்பொருளாக மாற்றுவதற்கான ஒரு முறை பிரிட்ச்சுமேன்/சிடாக்பர்கர் செயல்முறையாகும். இம்முறையில் இண்டியம் மற்றும் செலீனியம் தனிமங்கள் ஓர் அடைக்கப்பட்ட குப்பியில் 900 °செல்சியசு வெப்பநிலைக்கும் அதிகமாக வெப்பப்படுத்தப்பட்டு, பின்னர் மெதுவாக ஒரு மாதத்திற்கு குளிர்விக்கப்படுகின்றன.^[4] இண்டியம்(I) சல்பேட்டு மற்றும் செலீனியம் டையாக்சைடு ஆகியவற்றின் நீர் கரைசலில் இருந்து மின்னியல் உலோகப் படிவிப்பு மூலம் தயாரிக்கலாம்.^[5]

பண்புகள்

இண்டியம்(II) செலீனைடு சேர்மத்தின் மூன்று பல்பரப்புகள் அல்லது படிக வடிவங்கள் உள்ளன. β, ε அறுகோண வடிவத்தைக் கொண்டுள்ளன, அலகு செல்கள் இரண்டு அடுக்குகளைக் கொண்டுள்ளன. γ சாய்சதுரப் பிழம்புரு படிக அமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. இதன் அலகு செல் நான்கு அடுக்குகளை உள்ளடக்கியதாகும்.^[2]

β-இண்டியம்(II) செலினைடை ஒட்டும் நாடாவைப் பயன்படுத்தி இரு பரிமாணத் தாள்களாக உரித்து வெளியேற்றலாம். வெற்றிடத்தில் இவை மென்மையான அடுக்குகளை உருவாக்குகின்றன. இருப்பினும், காற்றில் வெளிப்படும் போது, காற்று மூலக்கூறுகளின் வேதியியல் உறிஞ்சுதலின் காரணமாக அடுக்குகள் நெளிந்து போகின்றன.^[6] ஐசோபுரோப்பனால் திரவத்திலும் இவ்வாறு உரித்து வெளியேற்றலாம்.^[7] இண்டியம்(II) செலீனைடு, பல குறைக்கடத்திகளைப் போலல்லாமல், ஆக்சிசன் மற்றும் நீராவியின் சுற்றுப்புற சூழ்நிலைகளில் நிலைப்புத்தன்மையுடன் உள்ளது^[2]

பல்பரப்பு	இடக்குழு	அலகு செல்	ஆற்றல் இடைவெளி	eV
β	P6₃/mmc	a=4.005 c=16.660 Z=4	நேரடி	1.28
γ	R3m	a=7.1286 Å, c=19.382 Å and Z=6	நேரடியாக	1.29
ε	P6m2		மறைமுகம்	1.4

மாசிடல்

தனிமங்களின் சரியான விகிதத்தை 1:1 என்ற விகிதத்திலிருந்து மாற்றி, காலியிடங்களை உருவாக்குவதன் மூலம் இண்டியம்(II) செலினைடின் பண்புகளை வேறுபடுத்தலாம். சரியான சமத்துவத்தைப் பெறுவது கடினம். இந்தப் பண்புகளை தாண்டல் உலோகங்களை கலப்பு செய்தல் மூலம் ஈடுசெய்ய முடியும். சிறிய செறிவுகளில் சேர்க்கக்கூடிய பிற தனிமங்கள் போரான்,^[8] வெள்ளி,^[9] மற்றும் காட்மியம்^[10] ஆகியவையாகும்.

மேற்கோள்கள்

↑ Teena, M.; Kunjomana, A. G. (April 2018). "Crystal shape engineering and studies on the performance of vapour deposited InSe platelets". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 29 (7): 5536–5547. doi:10.1007/s10854-018-8522-5.
↑ ^2.0 ^2.1 ^2.2 ^2.3 Politano, A.; Campi, D.; Cattelan, M.; Ben Amara, I.; Jaziri, S.; Mazzotti, A.; Barinov, A.; Gürbulak, B. et al. (December 2017). "Indium selenide: an insight into electronic band structure and surface excitations". Scientific Reports 7 (1): 3445. doi:10.1038/s41598-017-03186-x. பப்மெட்:28611385. Bibcode: 2017NatSR...7.3445P.
↑ Marvan, Petr; Mazánek, Vlastimil; Sofer, Zdeněk (2019). "Shear-force exfoliation of indium and gallium chalcogenides for selective gas sensing applications". Nanoscale 11 (10): 4310–4317. doi:10.1039/C8NR09294J. பப்மெட்:30788468.
↑ ^4.0 ^4.1 Boukhvalov, Danil; Gürbulak, Bekir; Duman, Songül; Wang, Lin; Politano, Antonio; Caputi, Lorenzo; Chiarello, Gennaro; Cupolillo, Anna (5 November 2017). "The Advent of Indium Selenide: Synthesis, Electronic Properties, Ambient Stability and Applications". Nanomaterials 7 (11): 372. doi:10.3390/nano7110372. பப்மெட்:29113090.
↑ Demir, Kübra Çınar; Demir, Emre; Yüksel, Seniye; Coşkun, Cevdet (December 2019). "Influence of deposition conditions on nanostructured InSe thin films". Current Applied Physics 19 (12): 1404–1413. doi:10.1016/j.cap.2019.09.008. Bibcode: 2019CAP....19.1404D.
↑ Dmitriev, A. I.; Vishnjak, V. V.; Lashkarev, G. V.; Karbovskyi, V. L.; Kovaljuk, Z. D.; Bahtinov, A. P. (March 2011). "Investigation of the morphology of the van der Waals surface of the InSe single crystal". Physics of the Solid State 53 (3): 622–633. doi:10.1134/S1063783411030085. Bibcode: 2011PhSS...53..622D.
↑ Petroni, Elisa; Lago, Emanuele; Bellani, Sebastiano; Boukhvalov, Danil W.; Politano, Antonio; Gürbulak, Bekir; Duman, Songül; Prato, Mirko et al. (June 2018). "Liquid-Phase Exfoliated Indium-Selenide Flakes and Their Application in Hydrogen Evolution Reaction". Small 14 (26): 1800749. doi:10.1002/smll.201800749. பப்மெட்:29845748.
↑ Ertap, Hüseyin; Karabulut, Mevlut (5 December 2018). "Structural and electrical properties of boron doped InSe single crystals". Materials Research Express 6 (3): 035901. doi:10.1088/2053-1591/aaf2f6.
↑ Gürbulak, Bekir; Şata, Mehmet; Dogan, Seydi; Duman, Songul; Ashkhasi, Afsoun; Keskenler, E. Fahri (November 2014). "Structural characterizations and optical properties of InSe and InSe:Ag semiconductors grown by Bridgman/Stockbarger technique". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 64: 106–111. doi:10.1016/j.physe.2014.07.002. Bibcode: 2014PhyE...64..106G.
↑ Evtodiev, Igor (2009). "Excitonic absorption of the light in heterojunctions Bi 2 O 3-InSe".

[1] Teena, M.; Kunjomana, A. G. (April 2018). "Crystal shape engineering and studies on the performance of vapour deposited InSe platelets". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 29 (7): 5536–5547. doi:10.1007/s10854-018-8522-5.

[pol-2] 2.0 ^2.1 ^2.2 ^2.3 Politano, A.; Campi, D.; Cattelan, M.; Ben Amara, I.; Jaziri, S.; Mazzotti, A.; Barinov, A.; Gürbulak, B. et al. (December 2017). "Indium selenide: an insight into electronic band structure and surface excitations". Scientific Reports 7 (1): 3445. doi:10.1038/s41598-017-03186-x. பப்மெட்:28611385. Bibcode: 2017NatSR...7.3445P.

[3] Marvan, Petr; Mazánek, Vlastimil; Sofer, Zdeněk (2019). "Shear-force exfoliation of indium and gallium chalcogenides for selective gas sensing applications". Nanoscale 11 (10): 4310–4317. doi:10.1039/C8NR09294J. பப்மெட்:30788468.

[Boukhvalov2017-4] 4.0 ^4.1 Boukhvalov, Danil; Gürbulak, Bekir; Duman, Songül; Wang, Lin; Politano, Antonio; Caputi, Lorenzo; Chiarello, Gennaro; Cupolillo, Anna (5 November 2017). "The Advent of Indium Selenide: Synthesis, Electronic Properties, Ambient Stability and Applications". Nanomaterials 7 (11): 372. doi:10.3390/nano7110372. பப்மெட்:29113090.

[5] Demir, Kübra Çınar; Demir, Emre; Yüksel, Seniye; Coşkun, Cevdet (December 2019). "Influence of deposition conditions on nanostructured InSe thin films". Current Applied Physics 19 (12): 1404–1413. doi:10.1016/j.cap.2019.09.008. Bibcode: 2019CAP....19.1404D.

[6] Dmitriev, A. I.; Vishnjak, V. V.; Lashkarev, G. V.; Karbovskyi, V. L.; Kovaljuk, Z. D.; Bahtinov, A. P. (March 2011). "Investigation of the morphology of the van der Waals surface of the InSe single crystal". Physics of the Solid State 53 (3): 622–633. doi:10.1134/S1063783411030085. Bibcode: 2011PhSS...53..622D.

[7] Petroni, Elisa; Lago, Emanuele; Bellani, Sebastiano; Boukhvalov, Danil W.; Politano, Antonio; Gürbulak, Bekir; Duman, Songül; Prato, Mirko et al. (June 2018). "Liquid-Phase Exfoliated Indium-Selenide Flakes and Their Application in Hydrogen Evolution Reaction". Small 14 (26): 1800749. doi:10.1002/smll.201800749. பப்மெட்:29845748.

[8] Ertap, Hüseyin; Karabulut, Mevlut (5 December 2018). "Structural and electrical properties of boron doped InSe single crystals". Materials Research Express 6 (3): 035901. doi:10.1088/2053-1591/aaf2f6.

[9] Gürbulak, Bekir; Şata, Mehmet; Dogan, Seydi; Duman, Songul; Ashkhasi, Afsoun; Keskenler, E. Fahri (November 2014). "Structural characterizations and optical properties of InSe and InSe:Ag semiconductors grown by Bridgman/Stockbarger technique". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 64: 106–111. doi:10.1016/j.physe.2014.07.002. Bibcode: 2014PhyE...64..106G.

[10] Evtodiev, Igor (2009). "Excitonic absorption of the light in heterojunctions Bi 2 O 3-InSe".

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

இண்டியம்(II) செலீனைடு

உருவாக்கம்

பண்புகள்

மாசிடல்

மேற்கோள்கள்

Portal di Ensiklopedia Dunia