அலுமினியம் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு

அலுமினியம் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு (Aluminium indium antimonide) என்பது AlInSb என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு கொண்ட ஒரு முத்தனிம III-V குறைக்கடத்தி சேர்மமாகும். இண்டியம் அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு என்ற பெயராலும் இச்சேர்மம் அறியப்படுகிறது. அலுமினியம் ஆண்டிமோணைடு மற்றும் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு ஆகியவை சேர்ந்து உருவாகும் உலோகக் கலவையாகவும் இது கருதப்படுகிறது. இந்த உலோகக் கலவை அலுமினியம் மற்றும் இண்டியம் இடையே எந்த விகிதத்தையும் கொண்டிருக்கலாம். AlInSb பொதுவாக கலப்புலோகக் கலவையை குறிக்கிறது.

AlInSb படலங்கள் புறமூலக்கூற்று கற்றை படிதல் மற்றும் உலோகக் கரிம இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் தயாரிக்கப்படுகிறது.^[1] காலியம் ஆர்சனைடு மற்றும் காலியம் ஆண்டிமோணைடு அடி மூலக்கூறுகளில் இவை வளர்க்கப்படுகின்றன. பொதுவாக இது மற்ற III-V சேர்மங்களுடன் அடுக்கு பல்லினக்கட்டமைப்புகளில் இணைக்கப்படுகிறது.

அலுமினியம் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு உலோகக் கலவைகளில் தூய நிலை AlSb கலவையின் அணிக்கோவை மாறிலியும் ஆற்றல் இடைவெளியும் முறையே a = 0.614 நானோமீட்டர், Eg = 1.62 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு ஆகும். InSb கலவையின் அணிக்கோவை மாறிலியும் ஆற்றல் இடைவெளியும் முறையே a = 0.648 நானோமீட்டர், Eg = 0.17 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு ஆகும்.^[2] ஓர் இடைநிலை இயைபு நிலையில் (தோராயமாக x = 0.72 – 0.73), தூய AlSb ஆற்றல் இடைவெளி போன்ற ஒரு மறைமுக இடைவெளியில் இருந்து, தூய InSb கல்வை போன்ற நேரடி ஆற்றல் இடைவெளிக்கு மாறுகிறது.^[4]

InSb குவாண்டம் கிணறுகள் மற்றும் InSb-அடிப்படையிலான சாதனங்களில் தடுப்புப் பொருளாகவும், இடப்பெயர்வு வடிகட்டியாகவும் அலுமினியம் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு பயன்படுத்தப்படுகிறது.^[5]

அலுமினியம் இண்டியம் ஆண்டிமோணைடு கலப்புலோகமானது ஒளி உமிழ் இருமுனையங்களிலும் ஒளி இருமுனையங்களிலும் செயலில் உள்ள பகுதியாகப் பயன்படுத்தப்பட்டு, நடு அகச்சிவப்பு அலைநீளங்களில் ஒளியை உருவாக்கவும் கண்டறியவும் பயன்படுகிறது. இந்த சாதனங்களை 3.3 μm செயல்திறன் அளவுக்கு மேம்படுத்த இயலும். இந்த செயால்திறன் அளவு மீத்தேன் வாயு உணர்திறனுக்கான ஆர்வத்தின் அலைநீளமாகும்.^[6][7]

1. ↑ "The growth of AlInSb by metalorganic chemical vapor deposition". Journal of Electronic Materials 27 (6): L43–L46. 1998. doi:10.1007/s11664-998-0060-0. Bibcode: 1998JEMat..27L..43B. 
2. ↑ ^{2.0 2.1} "Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys". Journal of Applied Physics 89 (11): 5815–5875. 2001. doi:10.1063/1.1368156. Bibcode: 2001JAP....89.5815V. 
3. ↑ "Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GaInAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2–4 μm optoelectronic device applications". Journal of Applied Physics 61 (10): 4869–4876. 1987. doi:10.1063/1.338352. 
4. ↑ "Energy gaps, charge distribution and optical properties of Al_xIn_1−xSb ternary alloys". Infrared Physics & Technology 71: 396–401. 2015. doi:10.1016/j.infrared.2015.05.011. 
5. ↑ "Dislocation filtering by Al_xIn_1−xSb/Al_yIn_1−ySb interfaces for InSb-based devices grown on GaAs (001) substrates". Applied Physics Letters 88 (19): 191908. 2006. doi:10.1063/1.2203223. 
6. ↑ "Dislocation reduction in AlInSb mid-infrared photodiodes grown on GaAs substrates". Journal of Applied Physics 126 (13): 134501. 2019. doi:10.1063/1.5111933. Bibcode: 2019JAP...126m4501F. 
7. ↑ "High-efficiency AlInSb mid-infrared LED with dislocation filter layers for gas sensors". Journal of Crystal Growth 518: 14–17. 2019. doi:10.1016/j.jcrysgro.2019.02.049. Bibcode: 2019JCrGr.518...14M.